3.热稳定性好：场效应管受温度影响较小，因而在气温改变的环境中能坚持较好的作业功能。
4.安全作业区域宽：场效应管没有二次击穿现象，这在某种程度上预示着它们在电路中的安全作业范围较宽。
金属-氧化物半导体场效应管：简称MOSFET，它运用一个绝缘层来操控导电通道。
这儿首要介绍MOSFET。MOSFET有三个电极，分别为栅极G、源极S和漏极D，其间栅极G为操控端，源极S和漏极D为输出端。从半导体的构成方面能分为NMOS和PMOS。这两种MOS的电路符号如下图所示：
PMOS的衬底为N型半导体，在VGS《0时，会构成P沟道，所以叫做P沟道MOS；而NMOS的衬底为P型半导体，在VGS》0时，会构成N沟道，所以叫做N沟道MOS。
MOS管是电压驱动型的器材，首要用作可控整流、功率开关、信号扩大等，运用较为广泛。MOS管的通道依托VGS的电平，关于NMOS而言，VGS 》0时，NMOS导通，不然NMOS截止；关于PMOS而言，VGS《0，PMOS导通，不然截止。
电压时导电沟道是低阻状况，加上操控电压沟道电阻逐步变大。 2、绝缘栅型
的参数许多，包含直流参数、沟通参数和极限参数，但一般用时重视以下首要参数：1、I DSS — 饱满漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅
扩大器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不用运用电解电容器。2、
FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect
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